삼성전자, GAA기술 적용 '3나노 파운드리' 출하식 개최

[빅데이터뉴스 최효경 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.

이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

행사에 참석한 국내 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"고 밝혔다.

국내 팹리스 업체 텔레칩스 이장규 대표는 "텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"며 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.
최효경 빅데이터뉴스 기자 bdchk@thebigdata.co.kr