삼성전자, 8조원대 서버용D램 반도체 결함 때문에 어닝쇼크 예고?

2019-03-28 10:22:56

[빅데이터뉴스 김수아 기자] 삼성전자의 이번 어닝쇼크 예고가 서버용 D램의 결함으로 인한 리콜 때문이라는 의혹이 확산되고 있다는 보도가 나왔다..

삼성전자는 자율공시에서 이례적으로 ‘메모리 사업의 환경 약세’ 등을 원인으로 1분기 영업실적 악화를 전한 바 있다.

28일 녹색경제 보도에 따르면 삼성전자 반도체부문 복수의 관계자의 말을 인용 “서버용(데이터센터향) D램 제품에서 최근 불량 문제가 발생"한 것으로 알려졌다.

이 관계자는 “수조원대 리콜이 진행 중인 것으로 안다”며 “삼성이 아마존에 직접 가서 사과도 했다는 얘기도 공공연하게 돌고 있다”고 말했다.

또 다른 관계자는 “D램 불량 때문에 8조원대 손실이 난 것으로 알고 있다”고 말한 것으로 전해졌다.
이 신문에 따르면 이 내용은 삼성전자 내부 커뮤니티를 통해서도 빠르게 확산 중이지만 아직 삼성전자의 공식적인 입장은 확인되지 않았다는 것이다.

이 신문에 따르면 문제가 발생한 제품은 1x nm(1세대 10나노미터) D램으로 알려졌다.

불량 원인은 게이트 옥사이드(Gate Oxide)인데 D램에서 전자의 이동을 차단하는 역할을 하며, 전압을 조정한다. 조건에 따라 데이터가 손실되는 현상을 일으킬 수 있다.

이번 불량은 특정 공장라인 생산한 제품에서 발생한 것이 아닌, 특정 제품에서 공통으로 나타난 현상이라고 이 관계자는 전했다.

이 때문에 ‘설계적인 문제’가 원인이라는 의견에 가장 무게가 실리고 있으며 삼성전자는 장비 오작동, 초기 공정 등 다양한 불량 원인에 대한 가능성을 열어두고 조사 중인 것으로 알려졌다.

업계에서는 이재용 삼성전자 부회장이 D램 반도체에 대한 자신감을 바탕으로 비모메리 등 사업 확대에 나선 가운데 이같은 문제가 불거졌다는데에 우려를 표하고 있다.

한편 삼성전자는 내달 5일 잠정실적을 발표하는데 자율공시를 통해 실적 상황을 설명하고 나선 것은 이번이 처음이다.

삼성전자가 최근 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 /사진 = 녹색경제
삼성전자가 최근 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 /사진 = 녹색경제


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