
이날 삼성전자 반도체 뉴스룸에는 삼성전자 SAIT의 이 같은 연구 결과는 최근 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스'에 게재됐다.
연구 논문에 따르면 SAIT 임직원이 제1저자와 교신저자, 공저자로, 디바이스솔루션(DS)부문 반도체연구소 임직원이 공저자로 각각 참여했다.
반도체 업계가 시스템 반도체 성능 향상을 위해 트랜지스터를 미세화하고 집적도를 높이는 가운데, 연구진은 트랜지스터의 누설 전류를 막는 절연막에 활용되는 고유전 물질을 신소재인 강유전 물질로 대체하는 아이디어에 주목했다는 것이 회사측 설명이다.
또한 삼성전자는 이번 연구가 강유전 물질의 음의 전기용량(NC) 효과를 실험적으로 측정하는 데 성공했을 뿐 아니라, 이 효과를 활용한 트랜지스터(NCFET)의 상용화 가능성을 세계 최초로 검증했다는 데 의미가 있다고 덧붙여 설명했다.
최효경 빅데이터뉴스 기자 bdchk@thebigdata.co.kr
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