
특히 이 램은 소비전력이 20%이상 개선돼 글로벌 기업들에 '기후위기' 대안으로 부상할 것으로보인다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 설계로 공정을 완성했다.
멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용, 12나노급 D램은 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원하며, 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
최효경 빅데이터뉴스 기자 bdchk@thebigdata.co.kr
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