
올해 '삼성 테크 데이'는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐으며 삼성전자는 이날 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 밝혔다.
이날 발표에 따르면 삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC, Power Management IC), 보안설루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있으며, 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션(Platform Solution)'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 설루션을 제공해 나갈 계획이다.
이어 삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구된다고 전망하고, 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다.
SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.
삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품과 차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토(Exynos Auto) V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 모바일AP '엑시노스 2200', 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL) HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등도 공개됐다.
'엑시노스 2200'은 최첨단 4나노 EUV 공정, 최신 모바일 기술, 차세대 GPU, NPU가 적용된 제품으로 게임, 영상처리, AI 등 다양한 영역에서 새로운 차원의 사용자 경험을 제공한다.
지문인증IC는 삼성전자가 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문 센서, 보안 프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품으로 신용카드 사용자의 편의성을 높인다.
메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대/9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하며 차별화된 설루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.
삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 설루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개하며 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.
삼성전자는 올해 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획으로, 이날 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다.
삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(Quadruple Level Cell) 생태계를 확대하고, 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.
삼성전자는 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 설루션을 공급해 오는 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성할 목표이며 LPDDR5X, GDDR7, Shared Storage 등 차세대 메모리 설루션을 제공해 모빌리티 혁신을 이루어 나가겠다고 밝혔다.
최효경 빅데이터뉴스 기자 bdchk@thebigdata.co.kr
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