코스텍시스, 주가 강세…전련반도체 관련주 눈길

김민정 기자

2023-08-08 06:13:15

코스텍시스, 주가 강세…전련반도체 관련주 눈길
[빅데이터뉴스 김민정 기자] 코스텍시스 주가가 시간외 매매에서 급등했다.

8일 한국거래소에 따르면 전일 시간외 매매에서 코스텍시스 주가는 종가보다 1.47% 오른 3455원에 거래를 마쳤다. 코스텍시스의 시간외 거래량은 4만8481주이다.

최근 증권업계에서는 차세대 반도체와 관련한 업체들도 기업가치에 주목해야 한다는 목소리가 나온다.

세계 주요 시스템반도체 업체들이 차세대 전력반도체 시장 선점을 위한 경쟁에 나섰다. 삼성·SK·LX 등 국내 기업들도 차세대 전력반도체 사업을 고도화하고 있다.
차세대 전력반도체는 다양한 화학원소를 결합해서 만든 웨이퍼로 소자를 만든다. 실리콘카바이드(SiC)·질화갈륨(GaN) 등을 사용하면 실리콘 기반 칩보다 열에 강하고 부피를 축소할 수 있다.

시장조사 업체 트렌드포스는 SiC 칩 시장 규모가 올해 22억7500만달러에서 2026년에는 53억2800만달러로 커질 것으로 관측했다. 2026년 시장 규모 중 74%를 자동차용 칩이 차지한다. 완성차 업체들은 차세대 전력반도체 제조 공정이 까다로운 점을 고려해 물량을 미리 확보하려 하고 있다. 차세대 전력반도체 가격이 오르는 이유다.

삼성전자는 파운드리사업부에서 전력반도체 사업을 준비하고 있다. 최근 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에선 "2025년부터 화합물 반도체의 일종인 GaN 전력반도체의 컨슈머·데이터센터·오토모티브용 8인치 제품 파운드리 서비스를 시작한다"고 밝혔다. 삼성전자는 DS부문 내 전력반도체 태스크포스(TF) 팀을 꾸려서 사업성과 기술 고도화를 검토하는 것으로 알려졌다.

SK그룹은 인수합병(M&A)으로 전력반도체 시장에 뛰어들었다. SK실트론은 2019년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업을 통째로 인수한 뒤 2025년까지 약 8200억원을 투자해 설비 확장에 나선다.

SiC·GaN 전력반도체 적용처가 늘어나면 반도체 칩 실장기판 필수재료인 '저열팽창 고방열 소재' 수요가 증가한다. 시스템 반도체의 고출력·고집적화로 발열량이 증가한다. 코스텍시스 는 수요 증가에 대비해 RF 패키지 500억원, 방열 스페이서 600억원 등 총 1100억원 규모의 생산 능력을 확보한다는 계획이다.

코스텍시스는 3년의 준비 기간을 거쳐 전 세계 주요 업체들과 스페이서 공급을 논의하고 있다. 현대차 연구소의 신뢰성 테스트를 거쳐 현대모비스에 양산을 위한 품질 심사 단계에 있다. 이외 LG마그나, 비테스코, 산켄 등과도 테스트하고 있다.

한국 투자의 일환으로 SiC전력반도체 증설을 언급한 온세미컨덕터에도 샘플 공급을 하고 있다. 추가로 NXP의 자동차향 전력반도체 확장 가능성이 있으며 울프스피드향 기판도 승인 완료했다. NXP는 삼성전자가 한때 인수를 검토하다가 막판 가격 협상이 결렬돼 인수를 접은 곳으로도 잘 알려져 있다.

김학준 키움증권 연구원은 "최근 주목을 받는 전기차 반도체는 현재까지 Si반도체를 중심으로 사용되고 있다"면서 "앞으로 SiC전력반도체로 시장이 빠르게 전환될 것"이라고 내다봤다. 이어 "기존 Si에서 SiC로 전환 시 10% 이상의 전력 효율 향상과 부품 사이즈 축소라는 2가지 효과가 기대된다"며 "코스텍시스가 개발한 전력반도체용 스페이서는 SiC반도체 칩 실장 기판의 필수 재료로 저열팽창, 고방열 소재"라고 설명했다.

SiC 전력반도체 모듈에는 열을 빼주기 위해 DBC기판(절연기판)이 양면으로 두 장 쓰인다. 스페이서 위에 SiC나 GaN 같은 전력반도체를 실장한다. 코스텍시스는 반도체와 열팽창 계수가 유사한 소재를 직접 개발했다. 소재부터 제품까지 내재화하는 데 성공했다. 소재부터 패키지 제품까지 수직 계열화에 성공해 소재부터 제품까지 생산하는 기업은 세계에서 코스텍시스가 유일하다.

한편 저열팽창 고방열 소재 부품 전문기업 코스텍시스는 산업통상자원부 주관 ‘초고주파 마이크로파 직접회로(GaN MMIC) 전용 패키지 및 패키징 후공정 개발’ 과제에서 공동연구 기관으로 선정됐다고 2일 밝혔다.

코스텍시스는 이번 연구에서 초고주파 저손실, 고방열, 점검기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열 설계 구현을 담당한다.

연구개발 기간은 지난달 1일부터 오는 2026년 12월 31일까지다. 정부지원 총 연구개발비는 약 28억원 규모다.

이번 정부과제를 통해 GaN MMIC 전력증폭기 제품의 국산화 및 가격경쟁력 확보를 통한 수입 대체 및 수출 증가와 관련 산업과의 시너지 등의 효과가 기대된다.

코스텍시스 관계자는 “저열팽창 고방열 소재 기술력을 인정받아 이번 과제에 선정됐다”며 “이를 통해 현재 캐시카우 역할을 하는 무선주파수(RF) 분야에서도 지속적으로 사업을 확대해 나갈 것”이라고 말했다. 그는 이어 “특히 핵심 소재 기술이 차량용 전력반도체는 물론 통신용 시장, 더 나아가 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 반도체 등 차세대 화합물 반도체가 적용되는 다양한 분야로 확장할 수 있다는 데 의의가 크다”고 덧붙였다.

김민정 기자 thebigdata@kakao.com
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