8일 한국거래소에 따르면 전일 시간외 매매에서 마이크로투나노 주가는 종가보다 5.88% 오른 9730원에 거래를 마쳤다. 마이크로투나노의 시간외 거래량은 7만5276주이다.
이는 3분기 실적 발표가 임박한 가운데 삼성전자 반도체 부문 실적이 SK하이닉스보다 낮을 수도 있을 것이란 전망이 나오기 때문으로 풀이된다. 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스가 선두를 달리면서다.
업계에 따르면 삼성전자는 8일 올해 3분기 잠정실적을 발표한다. 세부 사업별 실적이 공개되진 않지만, 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문이 전체 실적의 50% 이상을 견인할 것으로 예상된다.
증권가에서는 DS 부문 내 메모리 사업의 매출을 22조∼24조원, 영업이익을 5조2000억∼6조3000억원으로 추산하고 있다. 사실상 파운드리와 시스템LSI가 고전하고 있다는 점을 고려하면 DS 부문의 실적 대부분을 메모리가 담당하고 있다.
SK하이닉스의 3분기 매출과 영업이익은 각각 18조1262억원, 6조7679억원으로 전망된다. 예측대로라면 3분기에 SK하이닉스와 삼성전자 DS 부문(메모리 사업)의 영업이익 격차가 최소 4000억원에서 최대 1조5000억원에 이를 수 있다.
올해 상반기 영업이익만 놓고 보면 삼성전자 DS 부문(메모리 사업)과 SK하이닉스의 차이는 약 1조원 규모로 삼성전자가 앞섰다. 다만 하반기부터는 상황이 반전될 가능성이 있다.
SK하이닉스가 3분기 6조7000억원 수준의 영업이익에 이어 4분기 역시 7조8727억원의 영업이익을 낼 것으로 예상되면서 올해 영업이익이 23조원에 육박할 수 있다는 관측이 나온다. 삼성전자 DS 부문(메모리 사업)의 경우 4분기 영업이익은 6조∼7조7000억원으로 추정된다.
연간 영업이익에서 SK하이닉스가 삼성전자를 근소하게나마 앞설 수 있다는 게 업계의 시각이다. 이러한 추월의 발판에는 차세대 D램인 HBM의 역할이 주효했다.
SK하이닉스는 지난 7월 2분기 실적 콘퍼런스콜에서 "3분기 D램은 HBM 중심의 판매 확대를 통해 전 분기 대비 한자릿수 초반의 출하량 성장을 계획 중"이라며 "올해는 늘어난 실리콘관통전극(TSV) 공정의 캐파(생산능력) 등을 통해 HBM3E 공급을 빠르게 확대해 작년보다 300% 이상의 HBM 성장을 이룰 것으로 예상한다"고 했다.
영업이익에서 SK하이닉스가 삼성전자를 제칠 것으로 예상되는 대목은 SK하이닉스가 일반 D램보다 3~5배 비싼 HBM 시장을 선점하며 수익성을 확보했기 때문으로 해석된다. 삼성전자와 SK하이닉스의 2분기 영업이익률은 각각 22.6%, 33%로 SK하이닉스가 업계 1위를 차지했다.
HBM 사업도 순항 중이다. SK하이닉스는 엔비디아에 지난 3월 HBM 5세대인 HBM3E 8단을 업계 최초로 납품한 데 이어 최근 12단 제품도 최초로 양산에 돌입했다. 연내 공급을 시작할 예정이다. 반면 삼성전자의 HBM3E 8단·12단 제품은 엔비디아 퀄(품질)테스트를 진행 중인 것으로 알려졌다.
이에 HBM3용 프로브카드를 SK하이닉스에 납품하고 있는 마이크로투나노에 매수세가 몰리고 있다.
마이크로투나노는 SK하이닉스의 주요 비즈니스 파트너사(BP)로서 HBM용 프로브 카드까지 SK하이닉스에 공급하고 있다.
김준형 빅데이터뉴스 기자 kjh@thebigdata.co.kr
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